我國首批32層三維NAND閃存芯片年內(nèi)將量產(chǎn)

2018-04-16 來源：評論：0

摘要：位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機(jī)臺１１日正式進(jìn)場安裝，這標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的３２層三維ＮＡＮＤ閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補(bǔ)我國主流存儲器領(lǐng)域空白。

　　位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機(jī)臺１１日正式進(jìn)場安裝，這標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的３２層三維ＮＡＮＤ閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補(bǔ)我國主流存儲器領(lǐng)域空白。

　　目前，我國通用存儲器基本全部依賴進(jìn)口，國家存儲器基地于２０１７年成功研發(fā)我國首顆３２層三維ＮＡＮＤ閃存芯片。這顆耗資１０億美元、由１０００人的團(tuán)隊歷時２年自主研發(fā)的芯片，是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片，有望使我國進(jìn)入全球存儲芯片第一梯隊，有力提升“中國芯”在國際市場的地位。

　　據(jù)介紹，國家存儲器基地項目２０１６年由紫光集團(tuán)聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設(shè)，總投資２４０億美元，項目一期總產(chǎn)能將達(dá)到３０萬片／月，年產(chǎn)值將超過１００億美元。

　　紫光集團(tuán)董事長趙偉國表示，今年１０月設(shè)備將點亮投產(chǎn)，預(yù)計２０１９年底６４層閃存產(chǎn)品將實現(xiàn)爬坡量產(chǎn)。未來十年，紫光集團(tuán)計劃至少還將投資１０００億美元，相當(dāng)于平均每年投入１００億美元，進(jìn)一步拉近我國在高端芯片領(lǐng)域與先進(jìn)國家的距離。

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